藍(lán)色巨人IBM的科學(xué)家們再次展示了他們雄厚的科研實力:歷史上第一次,使用標(biāo)準(zhǔn)的主流半導(dǎo)體工藝,將一萬多個碳納米管打造的晶體管精確地放置在了一顆芯片內(nèi),并通過了可行性測試。
多年來,人們一直期望找到一種新的材料,可以替代傳統(tǒng)芯片中的硅,從而更深入地推進(jìn)半導(dǎo)體制造工藝,獲得更小、更快、更強(qiáng)的計算機(jī)芯片,IBM則邁出了用碳納米管在此領(lǐng)域投入商業(yè)化應(yīng)用的第一步。
作為一種半導(dǎo)體材料,碳納米管有著很多優(yōu)于硅的天然屬性,特別適合在幾千個原子的尺度上建造納米級晶體管,其中的電子也可以比硅晶體管更輕松地轉(zhuǎn)移,實現(xiàn)更快速的數(shù)據(jù)傳輸,納米管的形狀也是在原子尺度上組成晶體管的上佳之選。
IBM的成果證明了,人們可以在預(yù)定的基底位置上用大量的碳納米管晶體管蝕刻集成電路,其中隔離半導(dǎo)體納米管、在晶圓上放置高密度碳材料設(shè)備尤為關(guān)鍵,因為最終商業(yè)性芯片是需要集成數(shù)以幾十億晶體管的。
在此之前,科學(xué)家們只能同時放置最多幾百個碳納米管,遠(yuǎn)遠(yuǎn)無法投入商業(yè)化。IBM則利用離子交換化學(xué)理論研究出了一種全新的方法,能夠精確、可控地在基底上按順序放置大量的碳納米管,密度達(dá)到了每平方厘米大約十億個,比之前的成果提高了兩個數(shù)量級。
IBM首先給碳納米管涂上一種表面活性劑(想象成使之更易溶于水的“肥皂”),然后用化學(xué)處理過的氧化鉿(HfO2)和二氧化硅(SiO2)制作基底,其中溝槽部分使用氧化鉿,再將基底放到碳納米管溶液里,納米管就會通過化學(xué)鍵附著到氧化鉿溝槽里,而基底的其他部分仍然是“干凈”的,最終得以在單個芯片上制造上萬個晶體管。
由于這種方法兼容標(biāo)準(zhǔn)的半導(dǎo)體制造工藝,大規(guī)模拓展和測試也更加簡單。
當(dāng)然了,這仍然是萬里長征的第一步,碳納米管究竟何時能夠取代硅,只能慢慢期待了。
碳納米管基底的掃描電子顯微鏡圖像(白色尺度條的長度為2微米)
碳納米管陣列顯微圖像:橫向間距200納米,縱向間距500納米,密度每平方厘米1億個(白色尺度條400納米)
碳納米管場效應(yīng)晶體管(CNTFET)陣列顯微圖像:碳納米管間距300納米
碳納米管結(jié)構(gòu)示意圖:單個原子層卷起形成,相當(dāng)于人類頭發(fā)寬度的千分之一
給碳納米管涂上表面活性劑,使之溶于水
氧化鉿和二氧化硅組成的基底:溝槽中的“立柱”是起連接作用的化學(xué)鍵
基底浸入碳納米管溶液,通過化學(xué)鍵結(jié)合
碳納米管陣列形成
以后的晶圓可能就是這個樣子了
IBM的研究員Hongsik Park (應(yīng)該是韓國人或者韓裔)
在化學(xué)實驗室內(nèi)觀察對比不同的碳納米管溶液
碳納米管溶液
過濾碳納米管溶液
以商用半導(dǎo)體工藝測試碳納米管晶體管
以商用半導(dǎo)體工藝測試碳納米管晶體管